Beim TMR-Mechanismus (Tunneling Magneto-Resistive), einem Verfahren das in Magnetfeldsensoren eingesetzt wird, geht es um einen Tunnel-Effekt, der auf der Quantenphysik basiert. Dieser Effekt tritt in Schichtensystemen mit mindestens zwei ferromagnetischen Schichten mit einer dazwischen liegenden Isolationsschicht auf.

<< Anzeige >>

Der TMR-Effekt ist damit zu erklären, dass bei extrem dünnen Strukturen, die in der Größenordnung von Molekülen angesiedelt sind, auch dünnste Isolatoren, die zwischen zwei leitenden Schichten befinden, Elektronen durchlassen. Beim Tunneling Magneto-Resistance befindet sich ein hochdünner Isolator zwischen zwei ferromagnetischen Schichten und ändert mit der Ausrichtung des Magnetfeldes seinen Widerstandswert.

Der Vorteil dieser Technik gegenüber den anderen magneto-resistiven Verfahren, dem Anisotropic Magneto-Resistive (AMR) und dem Giant Magneto-Resistive (GMR), liegen in der extrem kleinen Bauweise von TMR-Sensoren, die Kantenlängen im Mikrometerbereich haben.