SOI (silicon on insulator )

Silicon on Insulator (SOI) ist eine Chip-Technologie bei der die einzelnen Bauelemente auf dem Chip durch Oxid-Isolation voneinander isoliert sind. Jeder einzelne Transistor eines SOI-Chip befindet sich auf einer vollständig isolierten Fläche. Zwischen den einzelnen Bauelementen sind schmale Stege, die benachbarte Bauelemente voneinander isolieren und dadurch unerwünschte gegenseitige Beeinträchtigungen verhindert.

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Aufbau der SOI-Technologie

Verfahrenstechnisch wird bei der SOI-Technik auf dem Wafer eine dünne Silizium-Oxid-Schicht (SiO2) aufgebracht, auf der sich wiederum die elektronischen Bauelemente befinden.

Die SOI-Technologie hat den Vorteil, dass sie unempfindlicher gegenüber Störstrahlungen und gegenseitige Beeinträchtigung der aktiven Bauelemente ist, als andere Chip-Technologien. Die Transistoren haben eine geringere Kapazität und können dadurch schneller geschaltet werden. Außerdem erzeugen SOI-Chips geringere Verlustleistungen.

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