Die Row Access Strobe (RAS) ist bekannt als RAS-Latenz und beschreibt, wie lange es dauert, eine Zeile einer Speicherzelle auszulesen. Die RAS-Latenz beschreibt die Wartezeit, nach der sich eine Speicherzelle nach einem Zugriff wieder beschrieben oder ausgelesen werden kann. Diese Latenzzeit hängt unmittelbar mit den Schreib-Lese-Verstärkern sowie mit den Leitungslängen und der Beschaffenheit der Leitungen zusammen. Darüber hinaus mit der Anzahl der Speicherzellen. Je mehr Speicherzellen angeschlossen sind, desto langsamer wird die RAS-Latenz.

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Die Latenzzeit ist eine Bewertung für die Auslesezeit und abhängig von der Frontsidebusgeschwindigkeit des Motherboards. Gleiches gilt für die Columm Access Strobe, die CAS-Latenz.