Ein Random Access Memory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher, der 1968 von Robert Dennard entdeckt und patentiert wurde. Das erste RAM hatte 16 Pins, eine Taktfrequenz von 4,7 MHz und eine Zugriffszeit von 200 ns.

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Die Entwicklungsstufen des Speicher-Chips

In Computern werden RAMs von Zentraleinheiten (CPU) als Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eingesetzt, auf den sie wahlfrei zugreifen können. Das bedeutet, dass auf jedes Byte direkt zugegriffen werden kann, ohne dass das vorherige oder folgende Byte einen Bezug dazu hat. Die Daten werden in einem RAM so lange gespeichert, bis sie durch neue Daten überschrieben werden und so lange wie das RAM von einer Versorgungsspannung versorgt wird. Die Zugriffszeiten von RAMs liegen im Nanosekunden-Bereich.

Vergleich von verschiedenen RAM-Technologien

Aus der langjährigen Entwicklung der RAMs sind statische und dynamische RAMs, SRAMs und DRAMs, synchron und asynchron arbeitende RAMS, SDRAMs und Async. SRAMs, hervorgegangen. Aber auch RAMs, die die Taktzyklen mehrfach nutzen mittels Single Data Rate (SDR), Double Data Rate (DDR) und Quad Data Rate (QDR), die Zugriffsgeschwindigkeiten beschleunigen wie die EDO-DRAMs oder BEDO-DRAMs, auf einer anderen Busarchitektur basieren, wie die RDRAMs, und schließlich solche, die die Latenzzeiten verkürzen wie die RLDRAMMs. Des Weiteren wurden RAM-Bausteine auf magnetoresistiver und ferroelektrischer Basis entwickelt: Das MRAM, FRAM und FeTRAM.

Entwicklung der Versorgungsspannung von RAM-Bausteinen

Ein wesentlicher Aspekt für den Einsatz von RAMs, vor allem in Notebooks, Netbooks und anderen mobilen Geräten, ist deren Verlustleistung, die überproportional mit der Versorgungsspannung ansteigt. Aus diesem Grund geht die Entwicklung hin zu niedrigeren Versorgungsspannungen, die inzwischen bei XDR-DRAMs nur noch 1,2 V beträgt.