Ein Phase Change RAM (PCRAM oder PRAM) ist ein Random Access Memory (RAM) als Phasenwechselspeicher (PCM). Es ist ein nichtflüchtiger Speicher, dessen Speicherzellen auf der Zustandsänderung des elektrischen Widerstands des Speichermaterials basieren.

Aufbau einer Phasenwechsel-Speicherzelle (PCM)

PRAMs sind besser skalierbar als alle anderen Halbleiterspeichertechnologien und bieten die kurzen Zugriffszeiten von RAMs und die nichtflüchtigen Eigenschaften von Flashspeichern. Da sich PRAMs neu beschreiben lassen, ohne dabei die bisher akkumulierten Daten zuerst löschen zu müssen, haben sie gegenüber den Flashspeichern ein Vielfaches deren Geschwindigkeit. Darüber hinaus ist auch die Lebensdauer etwa zehnmal so hoch, wie die der Flashspeicher.

PRAMs weisen aufgrund der Halbleiterstrukturen mit weniger als 0,05 µm exp2 die kleinste Größe einer Speicherzelle auf.