Ein magneto-resistives RAM (MRAM) ist eine Speichertechnik für ein nichtflüchtiges, auf magnetisierbaren Eisenoxyden basierendem Random Access Memory (RAM). Es gehört zu der Kategorie der magnetoelektrischen Arbeitsspeicher. Vom Aufbau her besteht eine MRAM-Speicherzelle aus zwei dünnen magnetischen Schichten, die durch eine Zwischenschicht getrennt sind.

Vergleich von verschiedenen RAM-Technologien

Eine von beiden Schichten kann durch geringe Ströme magnetisiert werden, die andere nicht. Dadurch, dass nur eine Schicht magnetisierbar ist, kann sich diese in ihrer magnetischen Polarisierung gegenüber der anderen ändern. Mit der Änderung der magnetischen Polarisation ändert sich auch der elektrische Widerstand der Speicherzelle. Diese Widerstandänderung wird als digitale Information umgesetzt.

Aufbau der MRAM-Speicherzelle

Jede MRAM-Speicherzelle ist in Form einer Matrix spalten- und zeilenweise mit zwei Bitleitungen verbunden, die zur Speicherung und Auslesung der Information dienen.

MRAMs zeichnen sich aus durch einen extrem niedrigen Energieverbrauch. So benötigt beispielsweise ein 256-K-Speicher nur etwa 20 mW. Diese RAM-Technologie kann für stromsparende Anwendungen in der Militär- und Satellitentechnik sowie in Mobilgeräten eingesetzt werden.

Der erste 256-Kbit-MRAM ist in 16 Bänken zu je 16 Kbit organisiert. Der Schreib-/Lesezyklus ist extrem kurz und liegt unter 20 ns.