Indium Gallium Arsenid (InGaAs) ist ein Halbleitermaterial für Fotodioden. Es hat seine höchste Empfindlichkeit bei längeren Wellenlängen im Infrarotbereich bis zu 1.700 nm. Indium Gallium Arsenid wird in Bildsensoren und wegen seiner guten HF-Eigenschaften auch als Trägerkanalmaterial in Feldeffekttransistoren und FinFETs eingesetzt.

<< Anzeige >>

In mehrschichtigen Solarzellen wird Indium Gallium Arsenid als unterste Schicht eingesetzt, wo es den Infrarotanteil des Sonnenlichts absorbiert.