Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ist ein Halbleitermaterial der Gruppe III-V-Verbindungshalbleiter für Fotodioden und Laserdioden. Es hat seine höchste Empfindlichkeit bei längeren Wellenlängen im Infrarotbereich.
Laserdioden aus InGaAs arbeiten im Wellenlängenbereich zwischen 900 nm und 1.700 nm. Ihre höchste Sensitivität haben sie bei einer Wellenlänge von 1.550 nm. Eingesetzt werden sie als Pumplaser in EDFA-Verstärkern und anderen optischen Verstärkern und in Lidar-Systemen. Außerdem kommt das Halbleitermaterial in Superlumineszenzdioden ( SLD) und Bildsensoren zum Einsatz, und wegen seiner guten HF-Eigenschaften auch als Trägerkanalmaterial in Feldeffekttransistoren und FinFETs.
Indium Gallium Arsenid wird in mehrschichtigen Solarzellen als unterste Schicht eingesetzt, wo es den Infrarotanteil des Sonnenlichts absorbiert. Außerdem in Infrarotkameras für den Nachweis von Short Wavelength Infrared ( SWIR).