heterojunction bipolar transistor

HBT

Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor (BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gigahertz (GHz) verarbeiten kann. Es handelt sich um einen NPN-Transistor, bei dem die Basis aus einem Halbleitermaterial (GaInP) besteht, dass einen großen Abstand der Valenzbänder hat und stark positiv dotiert ist. Emitter und Kollektor sind dagegen negativ dotiert und haben einen geringen Valenzbandabstand. Es gibt verschiedene Halbleitermaterialien die diese Eigenschaften erfüllen: Indiumphosphid (InP) in Kombination mit Indiumgalliumarsenid (InGaAs) oder Indiumgalliumphosphid (InGaP) und Galliumarsenid (GaAs).

Die Basis der HBT-Transistoren weist große Bandlücken auf und ist nur einige atomare Lagen dünn, so dass die Elektronen diese quasi ohne Beeinträchtigung passieren.

HBTs werden in ultraschnellen Schaltkreisen und in der Mikrowellentechnik eingesetzt. Darüber hinaus eignen sich HBTs aus Indiumphosphid und Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ideal für monolithische, optoelektronische Schaltkreise. Darüber hinaus werden HBTs in HF-Mischern, A/D- und D/A-Wandlern eingesetzt.