Das Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) hat mit dem FB- DIMM (Fully Buffered Dual Inline Memory Module) eine Speicherbusarchitektur spezifiziert, die den gestiegenen Anforderungen nach DRAM-Technologien gerecht wird. In dieser Architektur bildet das Advanced Memory Buffer ( AMB) die zentrale Komponente.
Bei der neuen Busarchitektur sind die Speicherbausteine nicht mehr parallel an den System Management Bus ( SMBus) angeschlossen, sondern es bestehen Punkt-zu-Punkt-Verbindungen zwischen dem Speichercontroller und dem ersten sowie zwischen den einzelnen Speicherchips. FB-DIMMs haben im Gegensatz zu den parallel aufgebauten Registered DIMMs ( RDIMM) den Vorteil, dass der Speicher auch bei steigender Taktfrequenz weiter ausgebaut werden kann.
Auf jedem FB-DIMM befindet sich ein Advanced Memory Buffer (AMB), das die Verteilung der Daten zwischen den einzelnen Speicherchips auf dem DIMM übernimmt. Der Vorteil ist darin zu sehen, dass die Buszugriffszeiten unabhängig von der I/O-Geschwindigkeit der Dynamic RAMs (DRAM) werden. Der AMB- Chip puffert die Daten und überträgt sie zum nächsten DIMM oder an den Speichercontroller.
Mit der FB-DIMM-Technologie, bei der die Daten um Faktor 6 gemultiplext und über 24 differenzielle Leitungspaare zwischen dem Speicher- Controller und den AMB-Pufferspeichern übertragen werden. Die 24 Leitungspaare teilen sich auf in 10 Signalleitungen, die die Steuerinformationen vom Speichercontroller zum AMB-Buffer übertragen und 14 Leitungspaare von den AMB-Buffern zurück zum Speicher-Controller. In der FB-DIMM-Architektur können insgesamt acht Module pro Speicherkanal verwaltet werden. Ein Modul kann dabei bis zu 36 RAMs enthalten. Die maximale Datenrate pro I/O-Pin beträgt 4,8 Gbit/s.
Die FB-DIMM-Technik ist für den Server-Markt konzipiert und bietet den Vorteil, dass Speicher auch mit steigenden Taktfrequenzen erweitert werden können.