Extremes Ultraviolett-Licht (EUV) ist extrem kurzwelliges Licht mit einer Wellenlänge von 10 nm bis 50 nm. Diese extrem kurze Wellenlänge wird in der optischen Lithographie für die Herstellung feinster Chipstrukturen eingesetzt.

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UV-Licht und Extreme Ultraviolet (EUV) mit kürzester Wellenlänge

Während die Halbleiterindustrie derzeit mit ultravioletten Lasern mit Wellenlängen von 190 nm bis 250 nm arbeitet, zeichnet sich ab, dass zur Herstellung feinerer Chipstrukturen mit höherer Integrationsdichte Licht mit wesentlich kürzeren Wellenlängen benutzt werden wird. Für diese Anwendung scheint das extrem kurzwellige UV-Licht prädestiniert. Da EUV-Strahlung von allen Materialien, sogar von Luft absorbiert wird, können die lithografischen Prozesse nur im Vakuum durchgeführt werden.

Erzeugt wird das für die lithografischen Belange benötigte EUV-Licht von heißen, ionisiertem Plasma, und das bei Temperaturen von ca. 200.000 °C. Dabei wird das Gas von Hochleistungslasern bestrahlt. Die Wellenlänge von EUV-Strahlen liegt bei 13 nm.

Während mit den derzeitigen Technologien mit UV-Lasern Leiterbahnstrukturen von 45 nm hergestellt werden können, können mit der EUV-Strahlung derzeit Leiterbahnen mit Strukturbreiten von 27 nm und später (2015) von 11 nm realisiert werden.