ESDRAM (enhanced synchronous DRAM)

Das ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM) ist vergleichbar dem EDRAM. Es besteht aus einem SDRAM und einem kleinen SRAM. Da der Zugriff über das SRAM schneller ist als der über das SDRAM, ist dieser Kombinations-Speicherchips für den Einsatz in Cache prädestiniert. So wird das ESDRAM, das die Synchron-Version des EDRAMs darstellt, hauptsächlich im Second Level Cache (L2) eingesetzt. Die Zugriffszeiten liegen bei 6 ns und die Taktrate zwischen 133 MHz und 166 MHz. Das ESDRAM wird mit 3,3 V (3V3) versorgt und hat 168 Pins.

<< Anzeige >>