Das EDRAM (Enhanced Dynamic Random Access Memory) ist eine relativ neue Entwicklung eines dynamischen RAMs, das ein kleines SRAM mit einem größeren DRAM kombiniert. Das von NEC entwickelte EDRAM hat den Vorteil, dass der Zugriff über das SRAM schneller ist als der über das DRAM. Entsprechend betragen die Zugriffszeiten 15 ns bei Zugriff auf das SRAM und 35 ns bei Zugriff auf das DRAM. EDRAMs werden im First Level Cache (L1) und Second Level Cache (L2) eingesetzt, sie arbeiten mit Taktraten von 450 MHz und einer Betriebsspannung von 1,2 V.

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