Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) ist eine Halbleitertechnologie für Chips, Mikroprozessoren und auch diskrete Bauelemente, die sich durch eine geringe Leistungsaufnahme und kurze Schaltzeiten auszeichnet. Sie basiert auf komplementären Metalloxid-Halbleitern. Die Kombination von NMOS mit einem negativen und PMOS einem positiven Ladungsüberschuss ergibt die komplementäre CMOS-Technik.

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Die CMOS-Technologie wird daher auch in RAM-Speichern eingesetzt, wo sie in Verbindung mit Akkus die Daten auch bei Abschalten der Versorgungsspannung speichern kann. Die Leistungswerte liegen bei einigen wenigen Nanowatt (nW) pro Gatter. Darüber hinaus kann die CMOS-Technologie in einem großen Betriebsspannungsbereich eingesetzt werden, der zwischen 3 V und 15 V liegt. Da der Logikpegel für die logische "1" erst bei 3 V erkannt wird, ist eine direkte Kopplung von TTL-Logiken und CMOS-Technologien nicht möglich.

MOS-Technologievarianten: CMOS, PMOS, NMOS

CMOS ist sehr empfindlich gegenüber statischen Aufladungen. Das hängt mit der Hochohmigkeit der Ein- und Ausgänge zusammen, die in der Eingangsschaltung Feldeffekttransistoren (FET) benutzen. Die Ein- und Ausgänge sollten daher immer auf ein Potential gelegt werden.

Die Kombination mit bipolarer Technik heißt BiCMOS und zeichnet sich aus durch hohe Datenraten und hohe Treiberströme von 48 mA und 64 mA. BiCOMS-Logiken werden in Busanwendungen eingesetzt.