Seit der Einführung der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) wurden diese ständig weiterentwickelt, sie wurden kompakter und leistungsfähiger. Der Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor (CSTBT) ist eine solche Weiterentwicklung, die bereits bestimmte Schichten des Trench-IGBT (TIGBT) übernommen hat.

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Der CSTBT hat gegenüber dem IGBT eine zusätzliche N-dotierte Schicht mit einer relativ hohen Unreinheit, die zwischen der P-Schicht und der N-Schicht eingefügt wurde. Diese Schicht wirkt wie ein Graben und hat den Zweck, die Spannungen an den Schichtübergängen zu erhöhen. Sie stellt für die Lochwanderungen eine hohe Hürde dar.