Das Burst Extended Data Output DRAM (BEDO-DRAM) ist eine Variante des EDO-RAMs, die in Stapelverarbeitung mit jeweils vier Bursts arbeitet, wobei immer nur die letzten Bits mit der geringsten Wertigkeit (LSD) intern modifiziert werden. Die Busgeschwindigkeit des BEDO-DRAMs liegt zwischen 40 MHz und 66 MHz und damit oberhalb der Geschwindigkeit von 33 MHz von FPM oder des EDO-DRAMs. Das BEDO-DRAM wurde erstmals 1995 vorgestellt. Es kann immer nur für kurze Zeitspannen (Burst) mit dem Taktsignal der CPU synchronisiert werden. BEDO-DRAMs arbeiten nicht in Verbindung mit Prozessoren, die mit mehr als 66 MHz takten. Der Burstzyklus ist 4-1-1-1.

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Ein BEDO-DRAM hat 72 Pins und eine Zugriffszeit von 25 ns. Die Versorgungsspannung beträgt 5,0 V.