Es gibt verschiedene Verfahren mit denen der Widerstandswert von leitenden Materialien unter Einfluss eines Magnetfelds beeinflusst werden kann. Diese Effekte, die als magneto-resistive Effekte bezeichnet werden, und die daraus entwickelten Verfahren, sind unter dem Oberbegriff X-magneto-resistive (XMR) zusammengefasst und werden in Magnetfeldsensoren eingesetzt.

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Eigenschaften der verschiedenen magneto-resistiven Verfahren

Die magneto-resistiven Verfahren unterscheiden sich im Wesentlichen durch das Widerstandsverhalten der verschiedensten Materialien, wenn diese magnetisch durchflutet werden. Es kann sich dabei um ferromagnetische Materialien handeln, um Halbleitermaterialien oder extrem dünne Materialstrukturen, die bei magnetischem Fluss ihre Eigenschaften ändern. Es gibt verschiedene physikalische Effekte, die die Widerstandsänderung bewirken. Der Hall-Effekt ist einer der bekannteren magneto-resistiven Effekte, der in vielen Sensoren umgesetzt ist. Aus einigen weiteren Effekten wurden bereits Produkte entwickelt, davon zeugt der GMR-Sensor, der in Festplatten eingesetzt wird und mit dem die Speicherdichte um über 20 % erhöht wird. Weitere Effekte sind das Anisotropic Magneto-Resistive (AMR), Colossal Magneto-Resistive (CMR), Tunneling Magneto-Resistive (TMR) und das Extraordinary Magneto-Resistive (EMR).