XMR (X-magneto-resistive)

Es gibt verschiedene Verfahren mit denen der Widerstandswert von leitenden Materialien unter Einfluss eines Magnetfeld beeinflusst werden kann. Diese Effekte, die als magnetoresistive Effekte bezeichnet werden, und die daraus entwickelten Verfahren, sind unter dem Oberbegrif X-magneto-resistive (XMR) zusammengefasst und werden in Magnetfeldsensoren eingesetzt. Der Hall-Effekt ist einer der bekannteren magnetoresistiven Effekte, der in vielen Sensoren umgesetzt ist.

Aus einigen weiteren Effekten wurden bereits Produkte entwickelt, davon zeugt der GMR-Sensor, der in Festplatten eingesetzt wird und mit dem die Speicherdichte um über 20 % erhöht wird. Weitere Effekte sind das Anisotropic Magneto-Resistive (AMR), Colossal Magneto-Resistive (CMR), Tunneling Magneto-Resistive (TMR), Colossale Magneto-Resistive (CMR) und das Extraordinary Magneto-Resisitive (EMR).