Transistorgehäuse schützen den Transistor gegen mechanische Beeinträchtigung, sowie gegen chemische und Feuchtigkeitseinflüsse. Ein solches Gehäuse kann aus Metall oder Plastik bestehen und unterschiedliche Bauformen und Größen haben.

Transistorgehäuse in TO- und SOT-Bauform

Von den Bauformen her lassen sich Transistorgehäuse in zwei Hauptgruppen gliedern: Diode Outline (DO) für Dioden und Transistor Outline (TO) für Transistoren. Diese beiden Bauformen gibt es in Small-Outline-Versionen als Small Outline Diode (SOD), Small Outline Transistor (SOT) und für SOICs als Small Outline (SO). Sie unterscheiden sich durch den produktionstechnischen Einsatz auf den Leiterplatten. Die TO-Bauform ist für die Durchstecktechnik, während die SOT-Bauformen für die SMT-Technik entwickelt wurden.

Transistor-Rundgehäuse, TO-Bauform

Transistorgehäuse in TO-Bauform können ein Rundgehäuse haben; es gibt sie aber auch im Flachgehäuse (TO-220 und TO-254) für die direkte Montage auf das Chassis oder die Leiterplatte; das TO-Gehäuse kann darüber hinaus aus Metall oder Plastik bestehen. Die einzelnen Varianten hängen von der Anwendung und der Transistorleistung ab. So gibt es in der TO-Bauform Kleinsignaltransistoren (TO-18), Transistoren für niedrige Leistungen bis 1 W (TO-5 und TO-39), für mittlere Leistungen (TO-66) und hohe Leistungen (TO-3 und TO-254).

Beispiele für Transistorgehäuse: DO-, TO- und SOT-Bauform

Neben der Transistorleistung hängt die Größe der TO-Bauform von der Anzahl der Anschlussdrähte ab. Da sich in einem Transistorgehäuse auch zwei Transistoren oder eine Transistorschaltung befinden können, gibt es Rundgehäuse mit 6 Pins (TO-78) oder mit 10 Pins (TO-100).

Die SOT-Bauform wird den steigenden Anforderungen an kleinste Abmessungen gerecht. Bauteile in SOT-Bauformen haben Abmessungen im niedrigen einstelligen Millimeterbereich. So hat beispielsweise der SOT-23 Abmessungen von 1,3 mm und 3,0 mm, bei einer Dicke von 1,0 mm. Kleinste SOT-Gehäuse sind nur 0,8 mm breit und 1,6 mm lang.