Die Through-Silicon-Via-Technik (TSV) ist eine Durchkontaktierungstechnik auf Silizium-Basis. Die TSV-Technik wird in der Halbleitertechnik, in Komponenten der Optoelektronik und in der Mikrosystemtechnik (MEMS) für die Herstellung vertikaler, elektrisch leitender Verbindungen zwischen den integrierten Teilchips eines System-in-Chips (SiP) eingesetzt.

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Through Silicon Via (TSV), Foto: statschippac.com

Mit der TSV-Technik können kleinste Vias mit einem Durchmesser von etwa 30 µm und einer Tiefe von einigen hundert Mikrometer in Halbleiter geätzt werden. Diese nichtleitenden Verbindungen müssen mit einem elektrisch leitenden Metall gefüllt werden.

Durch die Through-Silicon-Vias können im Gegensatz zur Drahtbondierung kürzeste Verbindungen vom oberen metallischen Layer eines 3D-ICs zur metallischen Unterseite hergestellt werden.