Der Begriff Strukturbreite wird bei integrierten Schaltungen (IC) benutzt und kennzeichnet die technische Realisierbarkeit von der Breite der Strompfade und den dielektrischen Bereichen. Die Strukturbreite wird in Mikrometer (µm) oder Nanometer (nm) angegeben und hängt maßgeblich von der Entwicklung der fotolithografischen Verfahren ab, aber vor allem von der Wellenlänge des Lichtes, da sie nicht schmaler sein kann, als die Lichtwellenlängen. Diese liegen im sichtbaren Bereich zwischen 380 nm und 780 nm.

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Entwicklung der Integrationsdichte und der Strukturbreite

Betrug die Strukturbreite von Chips in den 70er Jahren bei der LSI- und VLSI-Technologie 10 µm beim 4004, bzw. 3 µm beim 8086, so konnte sie in den 80er Jahren mit der ULSI-Technologie auf unter 1 µm gesteigert werden. In den 90er Jahren wurden mit der SLSI-Technologie Strukturbreiten in der Größenordnung der Lichtwelllänge erzielt. Da die mit sichtbaren Licht arbeitenden fotolithografischen Verfahren keine höhere Auflösung mehr zuließen, hat man UV-Licht und anschließend extremes UV-Licht (EUV) für die lithografische Belichtung eingesetzt. Das Verfahren heißt daher Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL). Mit EUVL können Strukturbreiten von 45 nm, 20 nm und 10 nm realisiert werden.

Die Strukturbreite geht unmittelbar in die Integrationsdichte ein: Je geringer die Strukturbreite, desto höher die Integrationsdichte.