Siliziumcarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das in Leistungshalbleitern eingesetzt wird, besonders in Anwendungsbereichen mit hohen Spannungen, Strömen und Temperaturen. Siliziumcarbid hat eine hohe Bandlücke zwischen Leitungsband und Valenzband mit einer Bandlücke von 3,1 Elektronenvolt (eV) und erlaubt dadurch höhere Sperrschichttemperaturen und -spannungen. Darüber hinaus ist die Wärmeleitfähigkeit besser als die von Silizium. Das Halbleitermaterial Siliziumcarbid kann bei Temperaturen von 300 °C und mehr eingesetzt werden.

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Darüber hinaus zeichnet sich Siliziumcarbid durch eine hohe kritische Feldstärke aus, die entscheidend ist für die Dicke der Halbleiterschicht und deren Dotierung, damit eine bestimmte Sperrspannung erreicht wird. Im Unterschied zu Silizium kann die Siliziumcarbid-Schicht dünner sein, was zu einer wesentlichen Reduzierung des Durchgangswiderstandes im Schaltzustand und damit zur Verringerung der Verlustleistung beiträgt. Bei Spannungen von über 600 V ist Siliziumcarbid Galliumnitrid klar überlegen.

Durch Siliziumcarbid kann der Wirkungsgrad von Wechselrichtern in Photovoltaikanlagen um über 50 % gesteigert werden. Außerdem kann die Frequenz um den Faktor 4 und höher erhöht und damit die Größe wesentlich verringert werden, zumal die Baugruppe bei wesentlich höheren Temperaturen betrieben werden kann.