Die Schottky-Diode ist eine Diode, die sich im Aufbau von der zweischichtigen Halbleiterdiode unterscheidet. Bei der Schottky-Diode tritt anstelle der P-Schicht eine kapazitätsarme Metallelektrode.

Aufbau der Schottky-Diode

Bedingt durch die geringe Kapazität des Übergangs zwischen dem N-basierten Silizium und der Metallelektrode, zeichnet sich die Schottky-Diode durch einen äußerst geringen Spannungsabfall in Durchlassrichtung und kürzeste Sperrverzögerungszeiten und daraus resultierend durch extrem kurze Schaltzeiten von 1 ns bis 3 ns aus. Beide Parameter, der Spannungsabfall und die Sperrverzögerungszeit, sind entscheidend für den hohen Wirkungsgrad von Schottky-Dioden.

Das Einsatzgebiet liegt demgemäß im Überspannungsschut und vorallem in schnellen elektronischen Schaltern und Logiken, für die es spezielle Schottky-TTLs gibt. Schottky-TTLs (S-TTL) gibt es mit verringerter Leistungsaufnahme, so die Low-Power-Schottky-TTL (LS-TTL) und die Advanced-Low-Power-Schottky-TTL (ALS-TTL), sowie mit extrem kurzen Schaltzeiten, so die Advanced-Schottky-TTL (AS-TTL).

Schaltzeichen und Kennlinie der Schottky-Diode

Die Kennlinie von Schottky-Dioden ist wesentlich steiler als die von Germanium-Dioden, die Durchlassspannung liegt bei 0,4 V, die Sperrspannung bei etwa -50 V. Einsetzbar sind Schottky-Dioden bis zu einer Spannung von maximal 200 V. Wegen der geringen Durchlassspannung und der kurzen Schaltzeiten haben Schottky-Dioden eine wesentlich geringere Verlustleistung als Siliziumdioden.

Benannt ist der Schottky-Effekt nach dem deutschen Physiker Walter Schottky (1886-1976).