Schottky-Diode

Die Schottky-Diode ist eine Diode, die sich im Aufbau von der zweischichtigen Halbleiterdiode unterscheidet. Bei der Schottky-Diode tritt anstelle der P-Schicht eine kapazitätsarme Metallelektrode.

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Schaltzeichen und Kennlinie der Schottky-Diode

Bedingt durch die geringe Kapazität des Übergangs zwischen dem N-basierten Silizium und der Metallelektrode, zeichnet sich die Schottky-Diode durch extrem kurze Schaltzeiten aus. Diese liegen im unteren Nanosekunden-Bereich bei 1 ns bis 3 ns. Das Einsatzgebiet liegt demgemäß in schnellen elektronischen Schaltern und Logiken. So in speziellen Schottky-TTL-Logiken. Die Kennlinie von Schottky-Dioden ist wesentlich steiler als die von Germanium-Dioden, dir Durchlassspannung liegt bei 0,4 V, die Sperrspannung bei etwa -50 V.

Aufbau der Schottky-Diode

Da Schottky-Dioden eine höhere Leistungsaufnahme haben als andere Halbleiterdioden, gibt es neben der Schottky-TTL-Logik, S-TTL, spezielle Versionen mit verringerter Leistungsaufnahme wie Low Power Schottky TTL (LS-TTL) und die Advanced Schottky-TTL (AS-TTL). Letztere hat eine Schaltzeit von 1,7 ns bei einer Leistungsaufnahme von 8,5 mW.