Die Raumladungszone (RLZ) ist der Bereich, der sich im Übergang zwischen zwei unterschiedlich dotierten Halbleitern aufbaut: einem positiv dotierten und einem negativ dotiertem. Dieser Bereich wird bei Halbleitern als Sperrschicht bezeichnet.

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Raumladungszone (RLZ) mit Potentialausgleich

Die Sperrschicht ist durch die Elektronen im n-dotierten Halbleiter und die Löcher im p-dotierten Halbleiter gekennzeichnet, deren Konzentration unterschiedlich ist. Daher baut sich in der Raumladungszone ein elektrisches Feld auf und es entsteht ein elektrisches Potential, das die Elektronen und Löcher veranlasst in die jeweils andere Ladungszone zu driften.

Die Raumladungszone kann in ihrer Breite durch eine angelegte Spannung verändert werden. Je nach Ausrichtung der Spannung kann die RLZ verbreitert oder verringert werden. Wird der n-dotierte Bereich mit einer negativen Ladung beeinflusst, so wandern die Elektronen in den Grenzbereich und verringern damit die Raumladungszone. Anders ist es, wenn der n-dotierte Bereich mit einer positiven Spannung beeinflusst wird, dann vergrößert sich die Raumladungszone. Herrscht in der Raumladungszone ein Mangel an Ladungsträgern, spricht man von einer Verarmungszone.