Optical Proximity Correction (OPC) ist ein Korrekturverfahren von fotolithografischen Belichtungen. Mit dem OPC-Verfahren werden die Randschärfe von lithografischen Strukturen und deren Auflösung verbessert und der Abbildungsfehler verringert. Das OPC-Verfahren ist eine von mehreren Techniken mit denen die Strukturbreite der Leiterbahnen in Chips verringert werden kann. Ein anderes Verfahren ist die Resolution Enhancement Technology (RET).

Lithografische Korrektur mit Optical Proximity Correction (OPC), Foto: berkeley.edu

Durch die weiter fortschreitende Verringerung der Strukturbreite von Leiterbahnen in der Mikroelektronik, treten bei den lithografischen Prozessen Verzeichnungen durch Beugung und Brechung des Lichts auf. Diese Effekte führen dazu, dass die Strukturbahnen verbreitert werden und die Kanten eine Rundung erfahren. Mit der OPC-Technik werden diese Abbildungsfehler und -verzeichnungen bei der Erstellung der Fotomaske kompensiert. Dazu werden zur Verzeichnungskorrektur zusätzliche Linien und auch verlängerte Linien eingefügt und die Linienenden werden durch zusätzliche Ecken und Querlinien verstärkt.

Die sichtbarste Änderung erkennt man in der Linienbreite und zwar in den Bereichen, in denen Linien mit unterschiedlicher Strukturbreite benutzt werden.