Ein nichtflüchtiger Speicher (NVM) ist ein programmierbarer Schaltkreis, der seine einmal eingegebene Daten permanent und ohne zusätzliche Energiezufuhr speichert. Die Daten können gelöscht und erneut gespeichert werden. Nichtflüchtige Speicher, bekannt als Non-Volatile Memories, können auf Halbleiterbasis, Ferrit- oder Metalloxyd-Basis, als Blasenspeicher oder mit Amorphisierung arbeiten. Sie unterscheiden sich in ihrer Speicherkapazität, dem Speicherverfahren, den Zugriffszeiten und der Integrationsdichte. Eingesetzt werden nichtflüchtige Speicher in fast allen elektronischen Geräten: In Prozessorsystemen, Personal Computern, Embedded Systemen, industriellen Anlagen, Smartphones, in der Automotive-Technik, in Geräten der Unterhaltungselektronik und Haustechnik. In diesen Geräte und Systemen speichern sie den Programmcode, Datentabellen und andere Daten dauerhaft und stellen sie für die Programmabwicklung zur Verfügung.

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Bei den Halbleiterspeichern werden für die permanente Speicherung die stabilen Zustände eines Flipflops genutzt, wie bei allen ROMs, Flashspeichern und PRAMs, bei magnetischen Materialien wird die Remanenz und bei Blasenspeichern das Vorhanden- oder Nichtvorhandensein eines magnetischen Feldes ausgenutzt. Mit den halbleiterbasierten Flash-Techniken werden dank der hohen Integrationsdichte mit Strukturbreiten von 40 nm Speicherkapazitäten von etwa 50 Gbit erreicht. Ein nichtflüchtiger Speicher, der mit Amorphisierung arbeitet, ist der Phasenwechselspeicher, Phase Change Memory (PCM).

Zu den programmierbaren Bausteinen gehören ROMs, PROMs, EPROMs, EEPROMs, Flashspeicher, Generic Array Logics (GAL), Programmable Array Logics (PAL), Complex Programmable Logic Devices (CPLD) und einige mehr. Diese programmierbaren Bauteile werden mit Programmiergeräten programmiert.

Neben den nichtflüchtigen Speichern, gibt es noch die flüchtigen Speicher. Sie speichern ihre eingegebenen Daten nur solange, wie sie mit einer Versorgungsspannung versorgt werden.