Es gibt mehrere Speichertechnologien, die die Vorteile von SRAMs mit der nichtflüchtiger Speicher kombinieren: FRAM, MRAM, BBSRAM und NVSRAM, was für ein Non-Volatile SRAM steht.

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Alle diese Technologien arbeiten mit unterschiedlichen Verfahren: Ferro-Elektrisch, Magneto-Resisitive oder mit Backup-Batterie. Das NVSRAM hingegen überträgt bei Ausfall der Versorgungsspannung den SRAM-Inhalt auf spezielle, nichtflüchtige Speicherzellen, die in dem Speicherchip integriert sind.

Non-Volatile SRAMs zeichnen sich durch eine extrem kurze Zugriffszeit aus, die bei 15 ns bis 50 ns liegt und außerdem kann der Speicherinhalt über Jahrzehnte gespeichert werden. Dagegen sind die Speicherkapazitäten von NVSRAMs relativ gering und haben nur einige Mbit. NVSRAMs werden in platzsparende Packages geliefert, in SSOP, SOIC und TSOP.