Der Memristor, eine Kombination aus Memory und Resistor, ist neben Widerstand, Kondensator und Spule ein weiteres passives elektronisches Bauelement, das bereits 1971 von Berkeley-Professor Leon Chua vorausgesagt wurde. Der Memristor verknüpft elektrische Ladung mit magnetischem Fluss, wobei der Widerstand des Memristors abhängig von der elektrischen Ladung ist, die in eine bestimmte Richtung geflossen ist. Der Memristor merkt sich, in welche Richtung die elektrische Ladung geflossen ist.
Generell könnte man einen solchen Effekt mit aktiven elektronischen Bauelementen realisieren, hätte aber den Nachteil der Energiezufuhr, die beim passiven Memristor entfällt.
HP-Forscher haben den Memristor erstmals in 2008 durch eine Sandwich-Anordnung aus zwei Schichten Titandioxid ( TiO2) hergestellt, die nur wenige Atome dünn sind und eine Schichtdicke von wenigen Nanometer haben. Die beiden TiO2-Schichten unterscheiden sich dadurch, dass eine Schicht weniger Sauerstoffatome hat, als die andere. Das hat zur Folge, dass diese TiO2-Schicht besser leitet, als die andere. Je nach angelegter Spannung verschieben sich die Sauerstoffatome und der Widerstandswert der Anordnung verändert sich.
Da in dieser Mikrowelt andere Gesetzmäßigkeiten gelten, ist der Speichereffekt des so aufgebauten Memristors wesentlich größer als der von anderen aktiven Bauelementen, wie Transistoren. Der Memristor ist als Speicherbaustein von Interesse, da er sich durch eine hohe Schnelligkeit und Haltbarkeit auszeichnet und auch bei abgeschalteter Versorgungsspannung Daten speichert.