Der Junction Field-Effect Transsitor (JFET) hat einen äußerst einfachen Aufbau und einen hohen Eingangswiderstand, der geringer ist als der des MOSFET. Darin ist auch der Grund zu sehen, warum JFETs nur begrenzt in diskreten Schaltungen eingesetzt werden.

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Aufbau und Schaltzeichen des JFET, oben n-dotiert

Junction-FET s gibt es in zwei Ausführungen als p-Kanal- und n-Kanal-JFET. Bei der n-Kanal-Ausführung besteht der stromführende Kanal aus n-dotiertem Silizium, das von dem p-dotierten Gate eingeschlossen wird. Beim JFET wird der pn-Übergang zwischen Gate und n-Kanal negativ vorgespannt und steuert dadurch den Stromfluss zwischen Source und Drain. Bei der p-Kanal-Ausführung sind die Halbleitermaterialien entsprechend umgekehrt. Das p-dotierte Silizium wird für den stromführenden Kanal, das n-dotierte für das Gate benutzt.

Die Strom-Spannungs-Kennlinien von JFETs entsprechen im Wesentlichen denen von MOSFETs mit der Ausnahme, dass die zulässige Source-Gate-Spannung bei 0 V liegt. Im Schaltbild werden die beiden Ausführungen durch die Richtung des Pfeils zum oder vom Gate kenntlich gemacht.

Neben den auf Silizium basierenden JFETs wird zunehmend Siliziumcarbid (SiC) als Halbleitermaterial eingesetzt, da durch die geringere Verlustleistungen Leistungs-JFETs für die Leistungselektronik hergestellt werden können.