Integrationsdichte

Die Integrationsdichte ist eine Bezeichnung aus der Chip-Technologie. Dank einer rasanten technologischen Entwicklung der integrierten Schaltung konnte die Dichte der Schaltkreise auf einem Chip seit der Vorstellung der ersten Chips um viele Zehnerpotenzen gesteigert werden. Konkret hat sich die Anzahl der Transistoren von unter 100 pro Chip auf bis zu hundert Millionen (10exp8) gesteigert.

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Die Integrationsdichte von Chips

Diese Entwicklung konnte nur durch die Verringerung der Leiterbahnbreiten in den integrierten Schaltungen erzielt werden. Betrug diese Ende der 60er-Jahre noch 10 µm, so lag sie bereits Ende der 70er-Jahre bei 3 µm, in den Achtzigern bei 1 µm und Ende der neunziger bei nur 0,18 µm. Neuere Techniken arbeiten mit 300-mm-Siliziumwafer und einer Strukturdichte von 65 nm und 45 nm und in Zukunft auch mit 32 nm.

Entwicklung der Integrationsdichte

Zur Klassifizierung der Integrations-Technologie hat man das Akronym von Scale Integration (SI) um Begriffe wie Large (L) und Ultra Large (UL) erweitert, daraus resultieren die Abkürzungen SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI, SLSI, ELSI, GSI, GLSI, und darüber hinaus hat man jeder Technologie eine Anzahl von Transistorschaltungen zugewiesen. Die Grenzen sind dabei fließend, bieten aber hinreichend Anhaltspunkte für die Anzahl der Transistoren, die sich auf einem Chip befinden.