Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium (In) und Phosphor (P) besteht und bei elektrischer Stimulation Licht emittiert. Es kann in der Mikrowellentechnik bei Frequenzen von 30 GHz bis hin zu über 100 GHz eingesetzt werden und hat vergleichbare Eigenschaften wie Galliumarsenid (GaAs) und Galliumnitrid (GaN), eignet sich allerdings für wesentlich höhere Frequenzen.

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Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Da der Herstellungsprozess kostenintensiver ist als der von GaN- und GaAs-Halbleitern, wird der Verbindungshalbleiter vorwiegend dort eingesetzt, wo speziellen Eigenschaften entsprechende Vorteile bieten. So in Gunn-Dioden bei höchsten Frequenzen, in der Optoelektronik oder für Laser in optischen Netzen. Die Lichtemission liegt bei Wellenlängen um die 1.300 nm und bei 1.550 nm. Indiumphosphid hat bei Zimmertemperatur eine Bandlücke von 1,3 Elektronenvolt (eV).

In hybriden Sliziumlasern wird das emittierte Licht durch das InP-basierte Material verstärkt. Die Wellenlänge der Lichtemission wird durch die Abstände in einem Beugungsgitter bestimmt, das in das Silizium geätzt ist.