Die Kombination von Indiumnitrid (InN) und Galliumnitrid ( GaN) zu Indiumgalliumnitrid (InGaN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der in der Chip-Technologie in Laserdioden ( LD) und in Micro-LEDs eingesetzt wird.
Mit InGaN können Halbleiterlaser, LEDs und Micro-LEDs produziert werden, die Licht mit Wellenlängen von ultraviolett bis grün emittieren. Die unterschiedlichen Wellenlängen werden durch Änderung der Anteile an Indium und Gallium erzielt. Je höher der Anteil an Indiumnitrid ist, desto länger werden die Wellenlängen. Bei einem Anteil von 30 % InN liegt die Wellenlänge bei 440 nm. Typische Emissions-Wellenlängen liegen bei 380 nm, 405 nm, 450 nm und 470 nm.
Hinzu kommt, dass es sich bei Halbleitern aus Indiumgalliumnitrid (InGaN) um Wide Bandgap Semiconductors ( WBG) mit großer Bandlücke handelt. Die Bandlücke ändert sich mit dem Verhältnis zwischen beiden Halbleitermaterialien, sie kann zwischen 0,7 eV und 3,37 eV betragen. Eingesetzt wird die InGaN-Technologie u.a. in Micro-LED-Displays, optischen Speichern sowie in Scheinwerfern und Blinklichtern von Kraftfahrzeugen.