Galliumarsenid (GaAs) ist ein amorpher Verbindungshalbleiter, der zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter zählt. Galliumarsenid wird in den verschiedensten höchstfrequenten Halbleiter-Bauelementen und in Dünnschichtsolarzellen eingesetzt.

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Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Da sich Galliumarsenid durch ein extrem schnelles Schaltverhalten und eine geringe Leistungsaufnahme auszeichnet, findet man es in den Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) von ultraschnellen Schaltkreisen für die optische Übertragungstechnik, ebenso in High Electron Mobility Transistors (HEMT), mit denen Mikrowellen verstärkt werden. Es kann allerdings nicht so hohe Spannungen verarbeiten wie Galliumnitrid (GaN).

Weiterhin wird Galliumarsenid in der Photovoltaik in Dünnschichtsolarzellen und in Bauelementen für die Lichtemission eingesetzt, wo es Infrarotlicht emittiert.