Fototransistor

Wie die Fotodiode arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die sich bei Einfall von Licht durch Aufprallen von Photonen in ihren Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Kollektor-Basis-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt.

Fototransistor und-Schaltzeichen, Foto: Kingbright

Der wesentliche Vorteil des Fototransistors gegenüber der Fotodiode ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit, weil die Basis-Kollektorstrecke durch den Lichteinfall beeinflusst wird. Allerdings ist die Trägheit höher als die der Fotodiode, wodurch der Fototransistor nur bei Anwendungen mit niedriger Pulsfrequenz eingesetzt werden kann. Die spektrale Empfindlichkeit ist vergleichbar der der Fotodiode, d.h. dass Fototransistoren aus Germanium ihr Maximum bei etwa 1.500 nm haben, solche aus Silizium bei etwa 800 nm. Beide Wellenlängen liegen im Infrarotbereich. Die Empfindlichkeitskurve ist abhängig davon aus welchem Material das Transistorgehäuse besteht. Ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse.