Die FeTRAM-Technologie (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) ist eine Weiterentwicklung der nicht-volatilen FeRAMs, die sich durch geringsten Leistungsverbrauch auszeichnet. Wie die FeRAMs sind FeTRAMs non-volatile, also nichtflüchtig, sie behalten ihre Ladung auch dann, wenn sie von der Versorgungsspannung abgetrennt werden. Bezüglich des geringen Leistungsverbrauchs wird dieser mit nur einem Prozent von dem Leistungsverbrauch von Flashspeichern angegeben. Dieser Aspekt ist für mobile Geräte besonders interessant, weil sich dadurch die Batteriebetriebsdauer entsprechend erhöht. Ein weiterer Aspekt ist die Zugriffszeit, die kürzer sein soll, als die von SRAMs.

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FeTRAMs, Foto: computer-support.com

FeTRAMs können Daten speichern, auslesen und über eine längere Zeit und beliebig häufig speichern und wieder auslesen. Beim Auslesen von Daten bleiben diese im FeTRAM erhalten und gehen nicht verloren. Die Speicherzelle ändert ihren Zustand erst beim Einlesen.

Die FeTRAM-Technologie kombiniert Silizium-Nanodrähte mit ferroelektrischen Polymeren aus denen ein ferroelektrischer Transistor gebildet wird. Bei Anlegen eines elektrischen Feldes ändern das Material und damit der Transistor seine Polarität zwischen zwei Zuständen, die als logische "0" und "1" interpretiert werden. Nach Abschalten der Versorgungsspannung behält der Transistor den logischen Zustand bei.