Unter einem Fotodetektor (PD) versteht man in der Lichtwellenleitertechnik das Empfangselement, mit dem das übertragene Licht in elektrische Signale gewandelt wird. Man unterscheidet dabei zwischen Avalanche Photo Diodes ( APD), PIN-Dioden, Fototransistoren und Fotodioden.
Da es keine Fotodioden gibt, die das gesamte Wellenlängenspektrum von 600 nm bis 1.600 nm abdecken, bestimmen die Materialeigenschaften der Detektoren den Wellenlängenbereich. Man unterscheidet vom Halbleitermaterial her zwischen Silizium, Germanium und Indiumgalliumarsenid ( InGaAs).
Silizium-Detektoren (Si) haben einen Spektralbereich von 400 nm bis 1.100 nm, mit einem Maximum bei 850 nm, also exakt die Wellenlänge des ersten optischen Fensters von Lichtwellenleitern. Diese Detektoren werden darüber hinaus auch für Plastikfasern eingesetzt mit den Fenstern um 650 nm und 780 nm.
Germanium-Detektoren (Ge) haben einen Spektralbereich zwischen 800 nm und 1.600 nm, mit einem Maximum bei 1.550 nm. Bedingt durch einen hohen Rauschanteil sind diese Detektoren mit -60 dBm relativ unempfindlich.
Bei den Indiumgalliumarsenid-Detektoren liegt das Rauschen dagegen bei etwa -90 dBm. Sie decken den spektralen Bereich zwischen 700 nm und 2.000 nm ab und haben ein wenig ausgeprägtes Maximum zwischen 1.300 nm und 1.700 nm.