Um die Zugriffsgeschwindigkeit auf Halbleiterspeicher zu erhöhen, optimiert man die Anzahl der Zugriffe hinsichtlich der Adresse und der gespeicherten Daten.

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Der Burstzyklus wird in einer Zahlenkombination angegeben, beispielsweise als 4-1-1-1, wobei der erste Zugriff auf die Adresse 4 Zyklen der Taktfrequenz umfasst, die folgenden, den Datentransfer betreffenden Zugriffe, dauern jeweils nur einen Zyklus.

Der Burstzyklus hat sich mit der Entwicklung der Speicherbausteine von vormals 5-5-5-5 bei einem DRAM über 5-2-2-2 bei einem EDO-DRAM im Jahre 1995 bis hin zu 5-1-1-1 beim PC66, 4-1-1-1 beim PC100 und 2-2-2 beim PC133 entwickelt.