SOI (silicon on insulator)

Silicon on Insulator (SOI) ist eine Chip-Technologie mit einer speziellen Isolatiosnschicht aus Oxid, die die Transistoren enthält. Die einzelnen Bauelemente auf dem Chip sind durch Oxid-Isolation voneinander isoliert. Jeder einzelne Transistor eines SOI-Chips befindet sich auf einer vollständig isolierten Fläche. Zwischen den einzelnen Bauelementen sind schmale Stege, die benachbarte Bauelemente voneinander isolieren und dadurch unerwünschte gegenseitige Beeinträchtigungen verhindert.

Verfahrenstechnisch wird bei der SOI-Technik auf dem Wafer eine dünne Silizium-Oxid-Schicht (SiO2) aufgebracht, auf der sich wiederum die elektronischen Bauelemente befinden.

Aufbau der SOI-Technologie

Aufbau der SOI-Technologie

Die SOI-Technologie hat den Vorteil, dass sie unempfindlicher gegenüber Störstrahlungen und gegenseitige Beeinträchtigung der aktiven Bauelemente ist, als andere Chip-Technologien. Die Transistoren haben eine geringere Kapazität und können dadurch schneller geschaltet werden. Außerdem erzeugen SOI-Chips geringere Verlustleistungen.

Silicon on Insulator (SOI), Foto: IBM

Silicon on Insulator (SOI), Foto: IBM

Es gibt ein SOI-Konsortium in dem sich viele Chip-Hersteller zusammengeschlossen haben. Ziel des Konsortiums ist es, die SOI-Fertigungstechnik zu promoten.

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: silicon on insulator - SOI
Veröffentlicht: 10.05.2014
Wörter: 156
Tags: #Packages, Sockel
Links: Chip, Kapazität, Transistor, Verlustleistung, Wafer
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