RAM (random access memory)

Ein Random Access Memory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher, der 1968 von Robert Dennard entdeckt und patentiert wurde. Das erste RAM hatte 16 Pins, eine Taktfrequenz von 4,7 MHz und eine Zugriffszeit von 200 ns.


In Computern werden RAMs von Zentraleinheiten (CPU) als Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eingesetzt, auf den sie wahlfrei zugreifen können. Das bedeutet, dass auf jedes Byte direkt zugegriffen werden kann, ohne dass das vorherige oder folgende Byte einen Bezug dazu hat. Die Daten werden in einem RAM so lange gespeichert, bis sie durch neue Daten überschrieben werden und so lange wie das RAM von einer Versorgungsspannung versorgt wird. Die Zugriffszeiten von RAMs liegen im Nanosekunden-Bereich.

Aus der langjährigen Entwicklung der RAMs sind statische und dynamische RAMs, Static RAMs (SRAM) und Dynamic RAMs (DRAM), synchron und asynchron arbeitende RAMs, Synchronous Dynamic RAMs (SDRAM) und Async. SRAMs, hervorgegangen. Aber auch RAMs, die die Taktzyklen mehrfach nutzen mittels Single Data Rate (SDR), Double Data Rate (DDR) und Quad Data Rate (QDR), die Zugriffsgeschwindigkeiten beschleunigen wie die Extended Data Output DRAMs (EDO-DRAM) oder die Burst Extended Data Output DRAMs (BEDO-DRAM), auf einer anderen Busarchitektur basieren, wie die Rambus DRAMs (RDRAM), und schließlich solche, die die Latenzzeiten verkürzen wie die Reduced Latency DRAMs (RLDRAM).

Vergleich von verschiedenen RAM-Technologien

Vergleich von verschiedenen RAM-Technologien

Des Weiteren wurden RAM-Bausteine auf magneto-resistiver und ferroelektrischer Basis entwickelt: Das Magneto-resistive RAM (MRAM), Ferro RAM (FRAM) und das Ferroelectric Transistor RAM (FeTRAM).

Entwicklung der Versorgungsspannung von RAM-Bausteinen

Entwicklung der Versorgungsspannung von RAM-Bausteinen

Ein wesentlicher Aspekt für den Einsatz von RAMs, vor allem in Notebooks, Netbooks und anderen mobilen Geräten, ist deren Verlustleistung, die überproportional mit der Versorgungsspannung ansteigt. Aus diesem Grund geht die Entwicklung hin zu niedrigeren Versorgungsspannungen, die inzwischen beim Extreme Data Rate DRAM (XDR-DRAM) nur noch 1,2 V beträgt.

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: random access memory - RAM
Veröffentlicht: 16.10.2013
Wörter: 286
Tags: #RAMs
Links: ASP (Arbeitsspeicher), Aspekt, Async. SRAM (asynchronous static RAM), Asynchron, BEDO-DRAM (burst extended data output DRAM)