Die PIN-Diode, Positive Intrinsic Negative (PIN), kann ein optische Detektor sein, also eine Fotodiode, sie kann aber auch als steuerbarer frequenzabhängiger Widerstand oder als Leistungsdiode arbeiten; je nachdem ob sie in Sperrrichtung oder Durchlassrichtung betrieben wird. Als Fotodiode arbeitet die PIN-Diode in Sperrrichtung und wandelt Lichtsignale in elektrische Signale um.
Wie aus der Bezeichnung erkennbar, besteht die PIN-Diode aus drei Schichten: einer positiv dotierten P- Schicht, einer negativ dotierten N-Schicht und der zwischen beiden liegende Intrinsic-Bereich. Der intrinsische Bereich ist ein spezifischer Bereich in dem sich nur wenige freie Ladungsträger befinden. Der Intrinsic-Bereich hat eine Breite von etwa 500 nm bis 1.000 nm, wogegen die p-Schicht und die n-Schicht nur etwa 10 nm bis 30 nm breit sind. Fällt Licht auf den Intrinsic-Bereich werden Elektronen aus dem atomaren Verbund gerissen und stehen für den Ladungstransport zur Verfügung. Je höher die Lichtstärke, desto mehr freie Elektronen stehen zur Verfügung.
Neben der PIN-Diode werden in E/O-Wandlern auch die empfindlicheren APD-Dioden oder Fototransistoren eingesetzt. Die PIN-Diode ist unempfindlicher als die Avalanche Photo Diode (APD), dafür aber temperaturstabiler und kostengünstiger. Spitzenwerte für die Empfindlichkeit liegen zwischen -40 dBm (25 Mbit/s) und -55 dB (2 Mbit/s) bei 850 nm Wellenlänge.
Wird die PIN-Diode in Durchlassrichtung betrieben, dann kann man die Raumladungszone ( RLZ) in der Breite steuern und erhält damit die Funktion eines kapazitiven Widerstandes. In dieser Funktion wird die PIN-Diode in HF-Schaltungen eingesetzt, so beispielsweise in HF-Dämpfungsgliedern.