FinFET

FinFETs gehören zu der Gruppe der Multiple Gate Field Effect Transistors (MuGFET), einer Gruppe von Feldeffekttransistoren mit mehreren Gates, einer Technik, die federführend von IBM und Motorola entwickelt wurde. Der Fin FET ist ein Doppel-Gate Feldeffekttransistor (FET), dessen Bezeichnung (Fin) von dem flossenähnlichen Siliziumaufbau des Source-Drain-Bereichs abgeleitet ist.


Beim FinFET ist der Ladungsträgerkanal vollkommen vom Gate umgeben und erhebt sich vertikal vom Siliziumsubstrat. Durch diesen dreidimensionalen Aufbau können die Transistoren enger zusammengebaut werden als bei planar aufgebauten Transistoren und die Gate-Elektroden können besser auf den Ladungsträgerkanal einwirken.

Aufbau 
   des Doppelgate-FET, FinFET

Aufbau des Doppelgate-FET, FinFET

Da die Gate-Elektrode den Ladungskanal unmittelbar beeinflusst, haben FinFETs extrem kurze Schaltzeiten, höhere Rechenleistungen und ein gutes Frequenzverhalten. Außerdem haben sie den Vorteil, dass sie weniger Energie benötigen, temperaturunempfindlicher sind, den aktiven Substratbereich effizienter ausnutzen, ein geringeres Rauschen und kleinere Leckströme gegenüber planarer Technik haben, was wesentliche Vorteile bei Speicherzellen hat. Zudem sind sie nicht instabil.

FinFETs haben eine Gate-Oxidschichtdicke und eine Gatelänge von etwa 10 nm und können in CMOS-Technologie hergestellt werden. Sie werden u.a. für SRAMs und in Logiken von Mikroprozessoren benutzt, die äußerst klein realisiert werden können. Inzwischen gibt es FinFETs in 22-nm-Struktur.

Informationen zum Artikel
Deutsch: FinFET
Englisch: FinFET
Veröffentlicht: 08.04.2013
Wörter: 203
Tags: #Aktive Bauelemente
Links: CMOS (complementary metal oxide semiconductor), FET (field effect transistor), Leckstrom, Logik, µP (Mikroprozessor)