Der Magnetblasenspeicher, Magnetic Bubble Memory (MBM), wurde zu Beginn der 80er-Jahre entwickelt und durch die batteriegepufferten CMOS-RAMs einige Jahre später bereits wieder abgelöst. Es handelt sich um einen nichtflüchtigen Speicher, der bei Stromausfall seine gespeicherten Daten behält.
Als Speicherelemente benutzt der Blasenspeicher winzige zylinderförmige Magnetblasen, die sich in einer Dünnschicht aus magnetischem Material befinden. Die Achsen der Blasenzylinder stehen senkrecht zur Oberfläche. Ist eine Blase vorhanden, so wird das als logische "1" interpretiert, ist keine vorhanden, entspricht das der logischen "0". Die Blasen werden von einen Blasengenerator erzeugt, der ein elektrisches Signal entsprechend umsetzt. Ausgelesen wird die Blaseninformation von einem internen Detektor.
Der Blasenspeicher ist ein stationärer Speicher, bei dem die Blasen über ein von außen angelegtes magnetisches Feld, das sich kontinuierlich verändert, in die gewünschte Richtung geleitet werden. Vergleichbar einem Schieberegister bewegen sich die Blasen durch das äußere Magnetfeld einem geschlossenen Kreislauf.
Die Speicherdichte von Magnetblasenspeichern liegt bei etwa 10.000 Speicherzellen pro Quadratmillimeter, der Blasendurchmesser bei 5 Mikrometer und die Zugriffszeit bei 500 Mikrosekunden.